CMOS低相位噪声频率合成器设计

作     者：陈艳 黄灿英 沈放 涂剑鹏 CHEN Yan;HUANG Canying;SHEN Fang;TU Jianpeng

作者机构：南昌大学科学技术学院南昌330029 

基　　金：江西省教育改革课题(JXJG-14-28-3 JXJG-14-28-1 JXJG-14-28-8) 江西省教育改革课题(JXJG-13-28-6) 江西省教育厅青年科学基金资助项目(GJJ12165) 江西省教育教学"十二五"规划课题(11YB452) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2015年第35卷第6期

页      码：537-544页

摘      要：基于工业自动化无线网络的需求,设计了一款低相位噪声小数分频频率合成器。频率合成器通过采用一个1.4~2.2GHz超低压控灵敏度压控振荡器和可调同相/正交分频器,能够实现在220~1 100 MHz范围内产生同相/正交信号。此外,还采用了相位开关预分频器用于降低锁相环相位噪声,自校准充电荷泵用于抑制过冲,相位频率检波器用于缩短稳定时间。频率合成器采用TSMC 0.18μm CMOS工艺制造,芯片面积1.2mm2,供电电压1.8V,功耗仅为15mW。在200kHz环路带宽内,测得的最小相位噪声在10kHz和1 MHz频偏时分别为-106dBc/Hz和-131dBc/Hz,能够在13.2μs内达到稳定。

主 题 词：压控振荡器 同相/正交分频器 相位开关预分频器 电荷泵 低相位噪声 频率合成器 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203187051...