CMOS反相器电压传输特性的数值计算

作     者：梁旗 LIANG Qi

作者机构：国家电网濉溪县供电公司安徽濉溪235100 

出 版 物：《电脑知识与技术（过刊）》 (Computer Knowledge and Technology)

年 卷 期：2015年第21卷第8X期

页      码：145-146页

摘      要：设计了一种0.35um沟长的LDD PMOS器件,并用Medici软件进行数值仿真,找到一种简单有效的描述器件伏安特性的数值算法,给出相应的数学表达式,并利用这些表达式计算亚微米CMOS反相器的电压传输特性,计算结果与理论分析符合较好。

主 题 词：MOSFET 轻掺杂漏(LDD) 反相器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.14004/j.cnki.ckt.2015.2676

馆 藏 号：203187406...