10W高线性802.11n功率放大芯片设计

作     者：陈璐 张晓东 田婷 王锋 

作者机构：南京医科大学信息网络中心江苏南京210029 苏州科技学院电子与信息工程学院江苏苏州215009 东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心江苏南京211189 苏州英诺迅科技股份有限公司江苏苏州215123 

出 版 物：《电子产品世界》 (Electronic Engineering & Product World)

年 卷 期：2016年第23卷第4期

页      码：50-52页

摘      要：本文介绍了一款用于无线局域网802.11n的10W功率放大芯片。该芯片具有高功率、高增益、高效率和高集成度的特点,并且使用方便。芯片采用Ga As HBT技术,芯片面积仅为10mm×10mm。功率放大器采用了热分流式结构,饱和输出功率可达41d Bm,功率附加效率达到40%,功率增益为38d B。此外芯片内部设计了50欧姆的输入输出匹配电路与片内ESD保护电路,方便用户安全使用。

主 题 词：功率放大器 802.11n GaAs HBT 热分流 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-5517.2016.3.016

馆 藏 号：203187440...