ESD保护低噪声放大器的分析与设计

作     者：段炼 黄伟 马成炎 叶甜春 DUAN Lian;HUANG Wei;MA Chengyan;YE Tianchun

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 杭州中科微电子有限公司杭州310053 

基　　金：核高基重大专项(2009ZX01031-002-008) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2012年第42卷第5期

页      码：613-616,621页

摘      要：针对封装和ESD寄生对源极电感反馈结构低噪声放大器的影响,进行了详细的理论分析。在已发表文献的基础上,加入对ESD寄生引起的输入匹配网络改变的考虑,给出了新的噪声系数公式。根据分析结果,提出设计时的考虑。采用0.18μm CMOS工艺,设计了一款GPS L1波段的单端低噪声放大器。测试结果显示,电路增益达到18dB,噪声系数为2.2dB;在1.8V电压下,电流消耗为4.5mA。

主 题 词：GPS接收机 低噪声放大器 ESD保护 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2012.05.004

馆 藏 号：203187553...