基于SiGe BiCMOS工艺的片上太赫兹滤波器

作     者：崔博华 李一虎 熊永忠 CUI Bohua;LI Yihu;XIONG Yongzhong

作者机构：中国工程物理研究院太赫兹半导体器件研究室四川成都611731 

出 版 物：《太赫兹科学与电子信息学报》 (Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology)

年 卷 期：2015年第13卷第6期

页      码：849-852页

摘      要：基于硅锗双极-互补金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)工艺,采用衬底集成波导(SIW)结构,设计了几款片上太赫兹滤波器。测试结果中带宽和中心频率分别为20GHz@139GHz,20GHz@168GHz和26GHz@324GHz,结果表明制作的带通滤波器中心频率与设计的偏差很小;滤波器在中心频率的插入损耗为-6dB@139GHz,-5.5dB@168GHz和-5dB@324GHz。

主 题 词：滤波器 太赫兹 硅锗双极-互补金属氧化物半导体 衬底集成波导 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.11805/tkyda201506.0849

馆 藏 号：203187654...