高电源抑制比、低温飘带隙基准电压源的设计

作     者：高献坤 雷君召 丁赪璐 周西军 李遂亮 余泳昌 GAO Xian-kun;LEI Jun-zhao;DING Cheng-lu;ZHOU Xi-jun;LI Sui-liang;YU Yong-chang

作者机构：河南农业大学机电工程学院河南郑州450002 洛阳供电公司河南洛阳471000 河南省广播电视发射台河南郑州450008 广东交通职业技术学院广东广州510800 

基　　金：河南省科技创新人才计划项目(104100510008) 

出 版 物：《河南农业大学学报》 (Journal of Henan Agricultural University)

年 卷 期：2011年第45卷第4期

页      码：442-444,451页

摘      要：采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种电源电压为3 V、基准输出为1.25 V的高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源电路.Cadence Spectre仿真结果表明,该基准源具有较好的温度特性,在-40~125℃温度范围内,温度系数为3.5×10-6.℃-1;电源电压在2.7~3.6 V范围内波动时,电源电压调整率为72μV.V-1;具有良好的电源电压抑制特性,最高抑制比可达89 dB,在10 kHz处可实现45 dB的电源电压抑制比.

主 题 词：带隙基准电压源 温度系数 电源抑制比 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 081001[081001] 

D　O　I：10.16445/j.cnki.1000-2340.2011.04.006

馆 藏 号：203187677...