基于新型延迟电路的CMOS片上温度传感器

作     者：李硕明 LI Shuoming

作者机构：中山职业技术学院信息工程学院广东中山528404 

基　　金：中山市科技计划项目(2015B2357) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2016年第39卷第4期

页      码：785-789页

摘      要：为在较大温度范围内实现高精度的片上温度检测,提出一种基于新型延迟电路的CMOS时域温度传感器。该传感器以新型延迟电路为基础,利用二极管连接的双极结型晶体管（BJT）生成PWM信号,相较于其它时域温度传感器,仅需要单一偏置电流以及比较器就可生成PWM信号;利用简易的数字计数器可确定占空比,且占空比会被转换成数字值;传感器设计采用了0.18μm CMOS技术。实际测试结果显示,相较于其它类似传感器,提出的传感器在较宽的温度范围内精确度较高;在两个温度点上进行数字校准之后,在0~125℃范围内的精确度为±0.1℃;电源为1.5 V时,此传感器仅消耗了2.48μA,功耗为3.8μW。

主 题 词：时域温度传感器 延迟电路 低电压低功率 时间数字转换器(TDC) 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2016.04.007

馆 藏 号：203187831...