基于LTCC工艺的高速基片集成同轴互连阵列

作     者：魏鑫 李晓春 邵妍 毛军发 Xin Wei;Xiao-chun Li;Yan Shao;Jun-fa Mao

作者机构：上海交通大学高速电子系统设计与电磁兼容研究教育部重点实验室上海200240 

基　　金：国家自然科学基金(61522113)资助 

出 版 物：《电子技术（上海）》 (Electronic Technology)

年 卷 期：2016年第43卷第9期

页      码：18-22,17页

摘      要：基片集成同轴线是一种由基板上下导体板、内导体和金属化过孔阵列构成的集成波导结构,具有低损耗,宽频带,抗干扰,易于集成等优点。在基片集成同轴线的基础上,一种新型的多通道并行传输的基片集成同轴互连阵列结构被提出。该阵列结构通过相邻通道之间共用外导体的方式提高了互连的集成度,同时保持了良好的抗串扰特性。该互连阵列结构采用低温共烧陶瓷工艺(LTCC)加工实现,并应用了一种与之相匹配的共面波导转接结构。经过测试,基片集成同轴互连阵列结构中单个通道的带宽可以实现从直流到40GHz,单通道传输速率可以达到30Gbps,相应的十五通道互连阵列的总传输速率达到450Gbps。在PRBS序列周期为27-1的测试条件下,误码率小于10-12。

主 题 词：基片集成同轴线 多通道 高速互连 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-0755.2016.09.005

馆 藏 号：203188188...