快中子临界装置大厅辐射屏蔽门研制及性能验证

作     者：邹德慧 杜金峰 尹延朋 范晓强 杨成德 周静 ZOU De-hui;DU Jin-feng;YIN Yan-peng;FAN Xiao-qiang;YANG Cheng-de;ZHOU Jing

作者机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所中子物理国家重点实验室四川绵阳621900 

出 版 物：《同位素》 (Journal of Isotopes)

年 卷 期：2015年第28卷第2期

页      码：98-106页

摘      要：为提升快中子临界装置的实验能力,在实验大厅旁边扩建了附属建筑物,在实体连接位置形成了一个样品传输通道。为了保证工作人员的辐射安全,需要对通道进行屏蔽。采用蒙特卡罗方法进行屏蔽门的物理设计,确定了含硼石蜡为中子屏蔽材料,不锈钢为光子屏蔽材料。为保证硼在石蜡层上的均匀分布,防止石蜡内部形成空洞,采用了分层分次工艺进行屏蔽门浇铸。为保证屏蔽门对通道的有效覆盖,采用了分步工艺进行安装。辐射剂量监测结果表明,人员日常工作区域的辐射有效剂量为0.125mSv/a,小于建设项目管理目标值2mSv/a,远小于《电离辐射防护与辐射源安全基本标准》规定的放射性工作人员年剂量限值20mSv/a,屏蔽门的研制满足设计和使用要求。

主 题 词：快中子临界装置 屏蔽门 中子 光子 分层分次工艺 

学科分类：082704[082704] 08[工学] 0827[工学-食品科学与工程类] 

D　O　I：10.7538/tws.2015.28.02.0098

馆 藏 号：203188242...