光敏BCB光刻图形化工艺研究

作     者：王凤丹 王英 刘民 付学成 李进喜 沈赟靓 马玲 WANG Feng-dan WANG Ying LIU Min FU Xue-cheng LI Jin-xi SHEN Yun-liang MA Ling

作者机构：上海交通大学先进电子材料与器件校级平台上海200240 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(项目编号:81270209) 

出 版 物：《电子工艺技术》 (Electronics Process Technology)

年 卷 期：2016年第37卷第5期

页      码：264-266,310页

摘      要：光敏BCB-苯并环丁烯(benzocyclobutene)具有低介电常数、低介电损耗、低吸湿率、高热稳定性、良好的化学稳定性以及高薄膜平整度和低固化温度等优良的加工性能,在现代微电子制造封装工艺中有非常重要的应用,常用作各类器件钝化防护和层间介电等材料。通常在应用过程中,BCB层上都要形成微细的连接通孔或连接窗口图形。但由于BCB胶对温度非常敏感,且应力因素影响明显,光刻工艺条件比较临界,从而限制了BCB胶的发展和应用,因此优化BCB光刻工艺条件具有重要的实际意义和应用前景。通过控制光刻过程中前烘、光刻及显影等条件,研究了在硅基底表面BCB的成孔工艺。结果表明通过稳定显影条件,适当地提高前烘温度,延长前烘时间和曝光时间,对BCB胶形成图形都有一定的改善。实验中采用矩阵法设计了多组交叉实验,找出最佳前烘及曝光工艺,形成了图形结构良好的光刻图形。

主 题 词：光敏BCB 光刻工艺 前烘 形貌 曝光 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14176/j.issn.1001-3474.2016.05.005

馆 藏 号：203188318...