一种高线性度相位插值器
作者机构：北京理工大学微电子技术研究所北京100081
基 金：国家自然科学基金资助项目(61201040 61301006)
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：2016年第46卷第4期
页 码：441-444页
摘 要：设计并实现了一种高线性度相位插值器。分析了相位插值器的工作原理和传统相位插值器结构,以此为基础,提出了一种具有高线性度的相位插值器电路。该电路采用TSMC 90nm CMOS工艺进行设计,后仿真结果表明本设计的相位插值器具有良好的线性度,整个电路版图面积为(155×368)μm^2,核心电路面积为(63×114)μm^2。在1.2V的电源电压下,相位差值器模块电路的功耗为3.12mW。
主 题 词：相位插值 时钟数据恢复 CMOS模拟集成电路
学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学]
D O I：10.13911/j.cnki.1004-3365.2016.04.003
馆 藏 号：203189206...
