W波段GaN单片功率放大器研制

作     者：吴少兵 高建峰 王维波 章军云 WU Shaobing;GAO Jianfeng;WANG Weibo;ZHANG Junyun

作者机构：南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2016年第36卷第4期

页      码：266-269页

摘      要：报道了W波段GaN三级放大电路的研制结果。采用电子束直写工艺在AlGaN/GaN HEMT外延结构上制备了栅长100nm的 T 型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.3A/mm,最大跨导为430mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分别为90GHz及210GHz。采用该器件设计了三级放大电路,在75~110GHz频段内最大小信号增益为21dB。该单片在90GHz处的最大输出功率可达1.117W,PAE为13%,功率增益为11dB,输出功率密度为2.33 W/mm。

主 题 词：GaN高电子迁移率晶体管 W波段 电子束直写 功率放大器 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203189231...