Q波段2W平衡式GaAs pHEMT功率MMIC

作     者：陶洪琪 张斌 周强 TAO Hongqi;ZHANG Bin;ZHOU Qiang

作者机构：微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2016年第36卷第4期

页      码：293-297页

摘      要：报道了一款采用0.15μm GaAs功率MMIC工艺研制的Q波段平衡式功率放大器芯片。芯片采用Lange耦合器进行功率合成。在该平台工艺规则限制条件下,按照传统设计方法设计的Lange耦合器无法满足平衡式放大器设计需求。文中提出了解决方法,对Lange耦合器的端接阻抗进行优化,使得设计的Lange耦合器物理尺寸符合工艺规则要求。放大器采用三级放大拓扑结构,同时综合应用三维和平面场仿真技术,提高电路仿真精度。芯片在43~46GHz频带范围内、6V偏置、连续波工作条件下,饱和输出功率大于33dBm,效率大于15%,功率增益大于14dB,线性增益为16dB,线性增益平坦度小于±0.8dB,芯片面积3.9mm×4.8mm。

主 题 词：GaAs 功率放大器 Q波段 平衡式 兰格耦合器 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203190272...