光调制技术及器件

出 版 物：《中国光学》 (Chinese Optics)

年 卷 期：1994年第8卷第2期

页      码：70-70页

摘      要：TN761 94021296MSLM调制组件的电光性能=The electrical andoptic properties of the modulation assemblyused in MSLM[刊,中]/梁振宪,侯洵（中科院西安光机所）//光子学报.-1993,22（4）.-333～336对设计并制作的(MgF2+（ZrO2/SiO2）]膜系。LiNbO3·ITO/玻璃结构的MSLM用调制组件的综合电光性能进行了实验测定。结果表明,其反射半波电压VκR为1.2kV=0.1kV,反射率达99%,峰值次级电子发射系数为5.8。

主 题 词：电光性能 组件 调制技术 实验测定 光子学 半波电压 次级电子 反射率 发射系数 制作 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203192835...