深亚微米器件玻耳兹曼传输方程的实用解析模型

作     者：童建农 邹雪城 沈绪榜 

作者机构：华中科技大学IC设计中心武汉430074 

出 版 物：《计算机与数字工程》 (Computer & Digital Engineering)

年 卷 期：2004年第32卷第5期

页      码：4-7页

摘      要：深亚微米MOSFET须应用玻耳兹曼传输模型。本文建立了一个基于物理假定的解析解模型,其特点是可以加入经典模型BSIM3v3,并通过模拟程序CMOSIS进行了模拟验证。

主 题 词：MOSFET 玻耳兹曼传输方程 速度过冲效应 BSIM3模型 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1672-9722.2004.05.002

馆 藏 号：203192960...