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低发射度L波段光阴极微波电子枪物理设计

低发射度L波段光阴极微波电子枪物理设计

作     者:李成龙 汤振兴 裴元吉 LI Chenglong;TANG Zhenxing;PEI Yuanji

作者机构:中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230022 

基  金:国家高技术研究发展计划(863)项目(No.2013AA8122009B)资助~~ 

出 版 物:《核技术》 (Nuclear Techniques)

年 卷 期:2016年第39卷第9期

页      码:21-27页

摘      要:太赫兹(THz)光源对电子束的能量、能散及发射度有极高要求,研发高性能电子源是基于自由电子激光(Free Electron Laser,FEL)的THz光源的重要挑战。对电子腔中束团发射度增长机制的研究,有助于设计针对有效的发射度补偿方案。本文首先描述了L波段光阴极微波电子枪腔的设计,利用POISSON Superfish软件给出了腔内电磁场分布,详细分析了束流发射度增长的因素,讨论发射度补偿原理。由此提出基于主副螺线管线圈抑制发射度增长的补偿方案,并用ASTRA程序对补偿效果进行模拟计算。结果表明,采用该补偿方案后,电子腔输出束团的能散和发射度有显著改善,达到THz光源对于电子源的要求。

主 题 词:高性能电子束源 光阴极微波电子枪 发射度 补偿线圈 空间电荷力 能散 

学科分类:08[工学] 0807[工学-电子信息类] 0827[工学-食品科学与工程类] 082701[082701] 0703[理学-化学类] 1009[医学-法医学类] 0702[理学-物理学类] 0801[工学-力学类] 

核心收录:

D O I:10.11889/j.0253-3219.2016.his.39.090203

馆 藏 号:203192997...

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