12GHz　GaAs单片混频器

作     者：钟慧卿 林金庭 陈克金 莫火石 

作者机构：南京电子器件研究所 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：1995年第15卷第1期

页      码：16-20页

摘      要：分析研究了一种新型１２ＧＨｚＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ单片混频器，这种混频器采用级联ＦＥＴ作为混频元件。射频（ＲＦ）和本振（ＬＯ）信号分别通过各自的匹配网络进入混频电路，在中频输出端用中频缓冲放大器代替通常的中频匹配电路。电路在厚０．２ｍｍ，面积１．５ｍｍ×１．２ｍｍ的ＧａＡｓ基片上实现。设计的ＭＭＩＣ混频器在本振１１ＧＨｚ，射频１１．７～１２．２ＧＨＺ频率范围内的最大变频增益１．８ｄＢ。这一结果使进一步研究单片微波接收机成为可能。

主 题 词：混频器 微波 单片集成电路 MESFET 砷化镓 12GHZ 

学科分类：080903[080903] 080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

馆 藏 号：203193305...