改进型抗单粒子效应D触发器

作     者：赵金薇 沈鸣杰 程君侠 ZHAO Jin-wei;SHEN Ming-jie;CHENG Jun-xia

作者机构：复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2007年第32卷第1期

页      码：26-28,32页

摘      要：在对抗单粒子效应技术研究的基础上,构造了一种改进型的抗单粒子翻转和单粒子瞬变的主从型边沿D触发器。该D触发器在不影响设计流程的情况下能使得整个芯片都具有抗单粒子效应,并有效改善了以往由于引入抗辐射设计而导致芯片面积大幅度提高的问题。

主 题 词：抗辐射加固 单粒子效应 单粒子翻转 单粒子瞬变 D触发器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353X.2007.01.006

馆 藏 号：203193764...