NMOS管热载流子衰退效应评价模型及寿命预测方法研究

作     者：赵文彬 陈慧蓉 章晓文 周川淼 于宗光 ZHAO Wen-bin;CHEN Hui-rong;ZHANG Xiao-wen;ZHOU Chuan-miao;YU Zong-guang

作者机构：西安电子科技大学微电子学院西安710071 中电科技集团第58研究所无锡214035 信息产业部电子第五研究所广州510610 

基　　金：教育部重点实验室基金项目资助(514330504DZ1502) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2008年第31卷第5期

页      码：1472-1474,1478页

摘      要：热载流子是器件可靠性研究的热点之一。特别对于亚微米器件,热载流子失效是器件失效的一个最主要方面。通过对这种失效机理及其失效模型的研究,为设计和工艺提供帮助,从而有效降低由热载流子引起的电路失效,提高电路可靠性。本文主要针对几种典型工艺的栅氧厚度(例如:Tox分别为150、200、250)的NMOSFET进行加速应力实验,提取寿命模型的相关参数,估算这些器件在正常工作条件下的寿命值,对亚微米工艺器件寿命进行快速评价。

主 题 词：热载流子效应 栅氧厚度 模型参数 寿命 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2008.05.018

馆 藏 号：203194276...