基于Hspice模型的非晶硅薄膜晶体管特征参数提取

作     者：殷晓文 严利民 龚露鸣 Yin Xiaowen Yan Limin Gong Luming

作者机构：上海大学微电子研究与开发中心上海200072 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61376028) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2016年第41卷第10期

页      码：746-750页

摘      要：非晶硅薄膜晶体管(TFT)作为各种主流显示设备的像素点驱动器件,应用在计算机、视频终端和通信等多个领域。对薄膜晶体管的特征参数提取是显示驱动电路设计的前提。归纳并讨论了非晶硅薄膜晶体管模型选择,综合了归一化方法和Hspice level=61 RPI模型,分离参数后线性提取了如阈值电压、场效应迁移特征电压、迁移率幂律参数、源漏电阻及饱和电压调制等特征参数。利用溶胶凝胶法制备了氢化铟锌氧化物(HIZO)作为有源层的薄膜晶体管,将实际测量曲线与仿真曲线进行研究比较,误差分析表明该方法能很好地拟合薄膜晶体管电学性能。

主 题 词：非晶硅 薄膜晶体管(TFT) 归一化方法 RPI模型 参数提取 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.enki.bdtjs.2016.10.005

馆 藏 号：203194508...