采用寄生补偿的高效率逆F类GaN HEMT功率放大器

作     者：尤览 丁瑶 杨光 刘发林 YOU Lan,DING Yao,YANG Guang,LIU Fa-lin(Department of Electronic Engineering and Information Science, University of Science and Technology of China,Hefei 230027,China)

作者机构：中国科学技术大学电子工程与信息科学系合肥230027 

基　　金：新一代宽带无线移动通信网科技重大专项(2010ZX03007-003-01) 华为高校科技基金 

出 版 物：《微波学报》 (Journal of Microwaves)

年 卷 期：2011年第27卷第5期

页      码：50-54页

摘      要：为了提高无线通信系统的工作效率,提出了一种基于逆F类结构的新型高效率功率放大器。结合功率晶体管的寄生参数,设计了一种添加了寄生补偿电路的输出端谐波控制网络,对2到5次谐波阻抗进行了处理。针对电路中寄生反馈元件的存在,在输入端对2次和3次谐波阻抗也分别进行了开路和短路处理。该功率放大器选用GaN工艺的HEMT器件作为功率晶体管,当工作在940MHz频率时,经测试所获得的最大漏极效率为87.4%,最大功率附加效率为78.6%,饱和输出功率为39.8dBm。

主 题 词：逆F类 高效率 寄生补偿 功率放大器 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14183/j.cnki.1005-6122.2011.05.008

馆 藏 号：203195613...