叉指式高Q值可变电容仿真设计

作     者：李延宁 阮勇 尤政 徐宏伟 黎玉刚 LI Yan-ning;RUAN Yong;YOU Zheng;XU Hong-wei;LI Yu-gang

作者机构：清华大学精密仪器系北京100084 西安现代控制技术研究所陕西西安710065 

出 版 物：《兵工学报》 (Acta Armamentarii)

年 卷 期：2013年第34卷第10期

页      码：1236-1242页

摘      要：提出了一种叉指式微机电系统（MEMS）可变电容设计方案，并从结构、电学特性、工艺三方面进行了仿真设计。由仿真结果可知：驱动电压为67V时，该设计理论电容可调率3．45，电容调节范围88．16～392．19iF，谐振频率36GHz，Q值223（1GHz），反射衰减0．00225dB，插入损耗42．75dB．与其他形式可变电容相比，该设计理论电容具有高Q值、高电容可调率和工艺简单的技术优势。

主 题 词：电子技术 可变电容 微机电系统 仿真设计 蛇形梁 Q值 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0802[工学-机械学] 0801[工学-力学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-1093.2013.10.007

馆 藏 号：203196628...