晶体管的設計(下)

作     者：吴锡九 

作者机构：中国科学院应用物理研究所 

出 版 物：《电信科学》 (Telecommunications Science)

年 卷 期：1956年第5期

页      码：30-36页

摘      要：热性设计 5.热阻的定义及其测量限制晶体管输出功率的因素可分两类:电性的和热性的。前者就是输出功率受发射极和收集极电学特性的限制,后者则是受P—N结的温度不能过高的限制。对锗的P—V结来说,温度一般不能超过100℃。

主 题 词：收集极 输出功率 热阻率 热性 满带 弦波 毫瓦 电子迁移 硅晶体 截止频率 

学科分类：12[管理学] 120202[120202] 1202[管理学-工商管理类] 

馆 藏 号：203197552...