湿法刻蚀FI CD均一性的影响因素及提高刻蚀均一性的研究

作     者：范学丽 靖瑞宽 翁超 陈启省 王晏酩 肖红玺 刘还平 FAN Xue-li;JING Rui-kuan;WENG Chao;CHEN Qi-xing;WANG Yan-ming;XIAO Hong-xi;LIU Huan-ping

作者机构：北京京东方光电科技有限公司北京100176 

出 版 物：《液晶与显示》 (Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays)

年 卷 期：2016年第31卷第1期

页      码：67-73页

摘      要：随着高分辨率产品导入,TFT-LCD阵列段各项参数范围越来越小,工艺要求更为严格,为了更好地管控湿法刻蚀各项参数,本文以湿法刻蚀FI CD(Final Inspection Critical Dimension)均一性的影响因素及如何提高FI CD均一性为目的进行研究。首先,通过对湿法刻蚀设备参数(主要包括刻蚀液温度、流量、压力、浓度、Nozzle Sliding、Oscillation Speed、刻蚀时间等)进行试验,验证各项参数对FI CD均一性的影响。其次,对沉积工序、曝光工序以及产品设计等进行试验,获悉影响因素并进行改善。通过对湿法刻蚀设备自身参数的调整,如减少设备温度、流量、压力波动,使参数保持相对稳定状态,可有效改善湿法刻蚀FI CD均一性,FI CD的均一性可从1.0降低至0.5。通过对湿法刻蚀设备参数进行试验并做相应调整,湿法刻蚀FI CD均一性改善效果显著。

主 题 词：TFT-LCD 湿法刻蚀 FI CD 均一性 

学科分类：0810[工学-土木类] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0804[工学-材料学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3788/yjyxs20163101.0067

馆 藏 号：203197686...