RSD预充时间对开通电压峰值的影响研究

作     者：刘雪青 梁琳 余岳辉 LIU Xue-qing;LIANG Lin;YU Yue-hui

作者机构：华中科技大学光学与电子信息学院湖北武汉430074 

基　　金：国家自然科学基金(50907025)~~ 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：2012年第46卷第7期

页      码：61-63页

摘      要：反向开关晶体管(RSD)的开通电压峰值直接影响器件的导通功耗。为研究开通电压峰值的影响因素,从RSD开通机理出发,在直接预充电路的基础上设计了实验方案,得到了同等预充电荷量下开通电压峰值随预充时间的变化趋势。测量结果表明,在一定预充电荷量下,随着预充时间增大,开通电压峰值先减小后增大。结合预充过程中器件内部的SRH复合和俄歇复合效应,提出了有效预充电荷量的概念并以此对实验结果作出解释。

主 题 词：晶体管 开通电压峰值 预充时间 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-100X.2012.07.022

馆 藏 号：203201762...