超薄栅氧化层等离子体损伤的工艺监测

作     者：赵文彬 李蕾蕾 于宗光 ZHAO Wen-bin;LI Lei-lei;YU Zong-guang

作者机构：西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035 

基　　金：江苏省高技术研究项目(No.BG2007006) 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：2009年第37卷第5期

页      码：947-950,956页

摘      要：随着集成电路向深亚微米、纳米技术发展,等离子体充电对制造工艺造成的影响,尤其对超薄隧道氧化层的损伤越来越显著.本文分析了等离子体工艺损伤机理以及天线效应,设计了带有多晶、孔、金属等层次天线监测结构的电容和器件,并有不同的天线比.设计结构简单、完全工艺兼容,测试结果直观、测量灵敏度高等优点,实现了等离子体损伤芯片级工艺监控.测试分析表明,不同的膜层结构,等离子体损伤程度不同,当天线比大于103以后,充电损伤变得明显.同时测试也发现了工艺损伤较为严重的环节,为优化制造工艺,提高超薄栅氧化层抗等离子体损伤能力提供了科学的依据.

主 题 词：栅氧化层 等离子体损伤 天线结构 工艺监测 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0372-2112.2009.05.007

馆 藏 号：203201861...