一种高精度带隙基准电压源设计

作     者：刘军儒 牛萍娟 高铁成 王亦伟 LIU Junru;NIU Pingjuan;GAO Tiecheng;WANG Yiwei

作者机构：天津工业大学信息与通信工程学院天津300160 

基　　金：国家"863"计划资助项目(2006AA03A154) 天津市科技支撑计划资助项目(07ZCKFGX02100) 

出 版 物：《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)

年 卷 期：2010年第33卷第2期

页      码：1-3页

摘      要：提出一种采用0.35μm CMOS工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和低的温度系数。整体电路使用TSMC 0.35μm CMOS工艺,采用HSpice进行仿真。仿真结果表明,在-25^+125℃温度范围内温度系数为6.45 ppm/℃,电源抑制比达到-101 dB,电源电压在2.5~4.5 V之间,输出电压Vref的摆动为0.1 mV,功耗为0.815 mW,是一种有效的基准电压实现方法。

主 题 词：带隙基准电压源 电源抑制比 温度系数 HSpice 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16652/j.issn.1004-373x.2010.02.011

馆 藏 号：203203704...