锗单晶中位错密度的影响因素

作     者：左建龙 冯德伸 李楠 Zuo Jianlong;Feng Deshen;Li Nan

作者机构：北京有色金属研究总院北京国晶辉红外光学科技有限公司北京100088 

基　　金：国防科工委科研基金资助项目(MKPT-2004-48ZD) 

出 版 物：《稀有金属》 (Chinese Journal of Rare Metals)

年 卷 期：2010年第34卷第5期

页      码：726-730页

摘      要：直拉法生长的空间太阳能电池用锗单晶中位错密度的影响因素有:籽晶中位错延伸对晶体中位错密度的影响;温度梯度对位错密度的影响;固液界面形状对位错密度的影响;机械因素对位错密度的影响。通过dash技术排除籽晶中位错的影响;通过调整晶体所处的热场(改变埚位和保温筒高度)、改变熔体中轴向负温度梯度的状况(增加坩埚杆的保温效果和开双加热器)和通过设计出轴向温度梯度为线性温度梯度径向温度梯度较小的热场来减小温度梯度对位错密度的影响;通过调整固液界面形状(改变拉速、埚转和晶转)来改善由于固液界面形状不佳带来的位错增值现象。通过上述措施可以基本消除单晶中位错排、位错堆以及小角晶界,得到低位错密度的单晶。

主 题 词：锗单晶 低位错密度 太阳能电池 温度梯度 

学科分类：07[理学] 0806[工学-电气类] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.0258-7076.2010.05.019

馆 藏 号：203204535...