全烧结型SiC功率模块封装设计与研制（英文）

作     者：戴小平 吴义伯 赵义敏 王彦刚 DAI Xiaoping;WU Yibo;ZHAO Yimin;WANG Yangang

作者机构：新型功率半导体器件国家重点实验室湖南株洲412001 株洲中车时代电气股份有限公司湖南株洲412001 丹尼克斯半导体公司功率半导体研发中心 

基　　金：European Clean Sky Mat Plan Project(No:304851) 

出 版 物：《大功率变流技术》 (HIGH POWER CONVERTER TECHNOLOGY)

年 卷 期：2016年第5期

页      码：36-40,74页

摘      要：针对功率模块高可靠性、宽工作温度范围(-60oC^200oC)的应用特点,研制了一种基于全烧结技术的无键合线、无底板、紧凑型平面SiC功率模块,讨论了SiC模块封装设计及低电感柔性PCB互连技术;为了提高功率模块的可靠性及耐高温性能,采用低温银烧结技术替代传统钎焊焊接工艺,所研制功率模块搭载了SiC JFET和SiC SBD芯片组。测试结果表明,所研制的SiC功率模块具有良好的开关性能。

主 题 词：碳化硅 功率模块 封装设计 低温银烧结 低电感 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13889/j.issn.2095-3631.2016.05.007

馆 藏 号：203206934...