基于联电55纳米超低功耗工艺物联网平台

作     者：陈宏铭 林诗清 丁肇诚 许世弦 陈企扬 史义顺 CHEN Hong-ming;LIN Shih-Ching;Ting Chao-cheng;HSU Shih-hsuan;CHEN Chi-yang;SHIH Yi-shun

作者机构：智原科技上海200233 

出 版 物：《中国集成电路》 (China lntegrated Circuit)

年 卷 期：2016年第25卷第10期

页      码：26-34页

摘      要：随着工艺技术的发展,55纳米工艺技术已逐渐成为低功耗芯片的主流工艺。作为集成电路最新技术代表,MCU已经成为集成电路设计领域的研究热点并得到越来越广泛的应用。对电池供电的便携式设备而言,除了要考虑性能和成本外,功耗问题已经成为一个重要的因素。本文选择对ARM Cortex-M3进行低功耗设计,ARM Cortex-M系列作为全球应用最广的CPU,其在低功耗方面的表现令人满意。1M字节的大容量嵌入式闪存可以储存所需的代码与数据。低功耗锁相环与振荡器IP使用于本平台。为降低芯片负载波动及电源干扰对系统输出的影响以提高芯片性能,一种无片外电容低压差线性稳压器IP也用于本平台。本文使用的12位SAR ADC原理简单、电路易实现,并且由于中等速度、中等分辨率和较低功耗而广泛应用于嵌入式系统中。本文的低功耗平台设计,不但降低了功耗,更获得了在超低功耗工艺节点的设计经验,利于向需要低功耗的微控制器与物联网应用推广。

主 题 词：超低功耗 物联网 片上系统 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-5289.2016.10.006

馆 藏 号：203207596...