BiCMOS带隙基准电压源的设计及应用

作     者：王宇奇 何进 张贵博 童志强 王豪 常胜 黄启俊 Wang Yuqi;He Jin;Zhang Guibo;Tong Zhiqiang;Wang Hao;Chang Sheng;Huang Qijun

作者机构：武汉大学物理科学与技术学院湖北武汉430072 武汉烽火通信有限公司湖北武汉430200 

基　　金：国家自然科学基金(61574102 61404094) 中央高校基本科研基金(2042016kf0189 2042015kf0174 2042014kf0238) 湖北省自然科学基金(2014CFB694) 湖北省科技支撑计划(2015CFB536) 

出 版 物：《电子技术应用》 (Application of Electronic Technique)

年 卷 期：2016年第42卷第11期

页      码：33-36页

摘      要：基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了应用于一款"10-Gbps跨阻放大器(TIA)"芯片的带隙基准电压源。该带隙基准电压源工作在3.0 V^3.6 V的电源电压下,输出基准参考电压为1.2 V,温度系数为10.0 ppm/℃,低频时电源抑制比为-69 d B,具有良好的性能。应用该带隙基准电压源完成了TIA芯片中偏置电路模块的设计,该偏置电路除了提供偏置电流外,还具备带宽调节功能,可实现对TIA输出电压信号带宽进行7.9 GHz、8.9 GHz、9.8 GHz和10.1 GHz四档调节,提高了TIA芯片的应用性。目前,带隙基准电压源与偏置电路随TIA芯片正在进行MPW(多项目晶圆)流片。

主 题 词：Bi CMOS 带隙基准电压源 偏置电路 带宽调节 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16157/j.issn.0258-7998.2016.11.007

馆 藏 号：203208217...