GaN基LED电流分布的芯片结构优化设计

作     者：罗剑生 柴广跃 刘文 刘志慧 

作者机构：深圳大学光电工程学院广东深圳518060 

基　　金：广东省产学研资助项目(2011B090400400) 广东省前沿与关键技术创新专项资金资助项目(2014B010120004) 深圳市重大产业攻关资助项目(JSGG20140519105124218) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2016年第41卷第11期

页      码：822-826,880页

摘      要：GaN基LED的电流横向扩展导致电流分布不均匀的现象仍是目前亟待解决的难题,对于高压倒装LED更是如此。传统的LED工艺把负电极直接制作在n-GaN材料表面,而提出的优化结构是负电极内嵌于n-GaN材料。首先通过LED电流扩展的简单建模来探讨器件内部的电流分布情况,得出优化结构有利于改善芯片内部电流分布的理论推导。再进一步用SILVACO软件对优化结构和传统结构芯片内部电流分布进行了仿真对比,结果表明前者电流密度仅为后者的55%。最后制作了相关LED芯片样品进行热阻测试对比,实验表明优化结构芯片的结温和热阻较传统结构分别下降了13%和26%。可见芯片结构的优化设计方案是有效可行的。

主 题 词：GaN基LED 电流扩展 结构优化 电流分布仿真 热阻测试 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2016.11.004

馆 藏 号：203208237...