单区JTE加场板终端结构的优化设计

作     者：潘晓伟 冯全源 陈晓培 PAN Xiaowei;FENG Quanyuan;CHEN Xiaopei

作者机构：西南交通大学微电子研究所四川成都611756 

基　　金：国家自然科学基金重点项目资助(No.61531016) 国家自然科学基金面上项目资助(No.61271090) 四川省科技支撑计划项目资助(No.2015GZ0103 No.2016GZ0059) 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2016年第35卷第11期

页      码：38-41页

摘      要：为了提高芯片面积利用率,采用单区结终端扩展（JTE）与复合场板技术设计了一款700 V VDMOS的终端结构。借助Sentaurus TCAD仿真软件,研究单区JTE注入剂量、JTE窗口长度和金属场板长度与击穿电压的关系,优化结构参数,改善表面和体内电场分布,提高器件的耐压。最终在120.4？m的有效终端长度上实现了838 V的击穿电压,表面最大电场为2.03×105 V/cm,小于工业界判断器件击穿的表面最大电场值（2.5×105 V/cm）,受界面态电荷的影响小,具有较高的可靠性,且与高压深阱VDMOS工艺兼容,没有增加额外的掩膜和工艺步骤。

主 题 词：结终端扩展 复合场板 VDMOS 击穿电压 表面最大电场 界面态电荷 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.14106/j. enki. 1001-2028.2016.11.009

馆 藏 号：203208335...