CMOS集成电路ESD保护技术研究

作     者：董培培 张海涛 Dong Peipei;Zhang Haitao

作者机构：中国电子科技集团公司第四十七研究所 中国人民解放军95979部队 

出 版 物：《微处理机》 (Microprocessors)

年 卷 期：2016年第37卷第5期

页      码：9-12页

摘      要：介绍了ESD保护原理、测试方法及典型的ESD保护电路,针对2000V的HBM模型ESD保护指标要求,采用CSMC 0.5μm 25V(VGS)/25V(VDS)DPTM工艺模型和GGMOS器件进行了全芯片的ESD保护电路设计,并对ESD保护管的输出驱动级做了探索,在保证输出级ESD保护能力的同时,提高了输出端口的带负载能力。鉴于ESD保护结构工艺移植性较差,保护性能与工艺密切相关的特点,结合具体版图设计实践,总结了ESD保护结构版图设计的通用原则。这些原则旨在提高ESD保护结构的抗静电能力或提高ESD保护器件的工作可靠性,与具体的实现工艺无关。流片后的ESD实验表明,设计的ESD保护结构可以承受2000V HBM ESD攻击。

主 题 词：ESD保护 GGMOS器件 电路设计 版图设计 通用原则 工作可靠性 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1002-2279.2016.05.003

馆 藏 号：203208348...