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双控石墨烯超材料太赫兹调制器的双频反射特性(英文)

双控石墨烯超材料太赫兹调制器的双频反射特性(英文)

作     者:张玉萍 吕欢欢 李彤彤 张会云 ZHANG Yuping;Lü Huanhuan;LI Tongtong;ZHANG Huiyun

作者机构:山东科技大学电子通信与物理学院山东青岛266590 

基  金:国家自然科学基金项目(61001018) 山东省自然科学基金项目(ZR2016FM09) 山东省高等学校科技计划项目(J13LN16) 青岛市创新领军人才项目(13-CX-25) 中国工程物理研究院太赫兹科学技术基金项目(201401) 青岛经济技术开发区重点科技计划项目(2013-1-64) 山东科技大学研究生创新基金项目(YC150354) 

出 版 物:《山东科技大学学报(自然科学版)》 (Journal of Shandong University of Science and Technology(Natural Science))

年 卷 期:2016年第35卷第6期

页      码:68-75页

摘      要:设计了双控太赫兹超材料调制器,并研究了其在太赫兹频段内两个频率处的反射特性。该调制器由开口环谐振器及其底部的"三明治"结构组成,"三明治"结构从上到下依次为石墨烯层、聚酰亚胺层和金层,其中开口谐振器的开口处填充硅。该结构可以通过电、光两种方式调制,即分别对调制器中的石墨烯施加低电压,对硅施加弱光照。结果显示:反射谱在频率0.806THz、1.869THz出现两个共振反射谷,在满足低激励的条件下,增强两种激励均能改变共振反射谷的反射强度。两个共振处的反射调制方向表现出先反向、后同向的特点,其临界点对应的石墨烯费米能级和硅电导率分别为13.489meV、970.54S/m。文章对同时施加两种激励的情况进行了详细研究,结果表明:同时施加两种激励的调制特性并非单独施加激励的数值叠加,电、光两种调制方式相互独立。在调制过程中,调制器出现的最大调制深度为99.74%。

主 题 词:双控 石墨烯 太赫兹反射调制器 弱激励 强调制 

学科分类:07[理学] 070302[070302] 0703[理学-化学类] 

D O I:10.16452/j.cnki.sdkjzk.2016.06.011

馆 藏 号:203208379...

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