1200 V IGBT的性能优化

作     者：李宏 LI Hong

作者机构：上海先进半导体制造股份有限公司上海200233 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2016年第16卷第11期

页      码：44-47页

摘      要：主要研究1200 V IGBT器件的性能优化方法。理论分析了IGBT结构参数与其主要性能的关系,按1200 V IGBT器件击穿电压和饱和压降的设计要求,重点讨论了FS、JFET注入、延长JFET退火时间和减小Pring注入剂量对IGBT器件击穿电压(BV)和饱和压降(Vdson)的影响,最终得到了满足器件设计要求的最佳性能参数。

主 题 词：IGBT FS-IGBT JFET注入 JFET退火 Pring注入 击穿电压 饱和压降 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0133

馆 藏 号：203208885...