增强工艺偏差容忍度的带隙基准电压源设计

作     者：俞淼 罗小华 卢宇峰 李益航 YU Miao;LUO Xiaohua;LU Yufeng;LI Yihang

作者机构：浙江大学超大规模集成电路研究所浙江杭州310027 

基　　金：浙江省自然科学基金资助项目(LY15F040001) 

出 版 物：《浙江大学学报（理学版）》 (Journal of Zhejiang University（Science Edition）)

年 卷 期：2016年第43卷第6期

页      码：689-695页

摘      要：随着CMOS工艺特征尺寸的减小,带隙基准电压源在制造过程中因器件失配和工艺波动易导致实际输出电压和目标值发生偏离,降低芯片成品率.为此提出将Pelgrom失配模型引入电路设计中,分别从器件参数、电路结构、版图布局三方面对亚微米级的电路进行工艺偏差优化.基于华润上华(CSMC)0.5μm工艺以及Hspice软件仿真,显示基准源输出电压为1.232 54V,偏差小于5mV.流片测试结果表明,应用此设计的三通道LED驱动控制芯片成品率达到96.8%,输出电流达到(18±0.5)mA的芯片占99.6%以上.

主 题 词：工艺偏差 失配 带隙基准电压 阈值偏差 失调 成品率 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3785/j.issn.1008-9497.2016.06.013

馆 藏 号：203208885...