正余弦相幅转换技术发展动态

作     者：张俊安 付东兵 张瑞涛 李广军 ZHANG Jun'an;FU Dongbing;ZHANG Ruitao;LI Guangjun

作者机构：电子科技大学通信与信息工程学院成都611731 模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 

基　　金：模拟集成电路重点实验室基金资助项目(9140C0902120C09034 9140c090110130c09041) 国家自然科学基金资助项目(61006027 61170625 61176030) 中央高校基本科研业务费资助项目(ZYGX2012J003) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2016年第46卷第5期

页      码：690-696页

摘      要：综合论述了直接数字频率合成(DDS)芯片设计中的核心技术——正余弦相幅转换技术。以国际上公开发表的有关相幅转换技术的论文和专利为基础,根据实现方式,将相幅转换技术分为7种,分别介绍了每种相幅转换技术的原理、特点和适用范围,以及相幅转换技术在电路级实现时需要考虑的因素,最后给出结论。

主 题 词：正余弦相幅转换技术 发展动态 直接数字频率合成器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.2016.05.026

馆 藏 号：203209139...