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一种CMOS旋转行波压控振荡器

一种CMOS旋转行波压控振荡器

作     者:高罗丝 张长春 李志贞 宋韦 方玉明 袁丰 GAO Luosi;ZHANG Changchun;LI Zhizhen;SONG Wei;FANG Yuming;YUAN Feng

作者机构:南京邮电大学电子科学与工程学院南京210003 南京邮电大学江苏省射频集成与微组装工程实验室南京210003 

基  金:江苏省自然科学基金资助项目(BK20130878 BK2012435 BK20141431) 江苏省科技支撑资助项目(BE2013130) 高等教育博士点基金资助项目(20133223120005 20133223110003) 江苏省普通高校研究生科研创新计划资助项目(SJLX_0374 SJLX_0375) 

出 版 物:《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期:2016年第46卷第5期

页      码:637-642页

摘      要:采用0.18μm CMOS工艺,设计了一种基于微带传输线的旋转行波压控振荡器(RTWO)。采用λ/4差分传输线代替传统交叉耦合反相器对的PMOS负载管;通过电磁场建模并优化,获得了高Q值的谐振腔模型,提高了RTWO电路的振荡频率;解决了RTWO电路旋转波形不确定的问题,电路能逆时针起振旋转。该旋转行波压控振荡器的电路版图尺寸为980μm×1 150μm。在1.2V电源电压下,电路输出波形相邻相位差为45°,功耗为24mW。振荡频率调谐范围为14.06~14.73GHz,压控电路振荡于14.5GHz时,其相位噪声为-95dBc/Hz@1 MHz。

主 题 词:旋转行波压控振荡器 驻波振荡器 谐振腔模型 相位噪声 

学科分类:080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D O I:10.13911/j.cnki.1004-3365.2016.05.014

馆 藏 号:203209157...

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