NMOS ESD保护器件直流仿真模型设计

作     者：姜玉稀 陆嘉 冉峰 杨殿雄 JIANG Yu-xi;LU Jia;RAN Feng;YANG Dian-xiong

作者机构：上海大学微电子研究与开发中心上海200072 上海大学 

基　　金：上海市科委AM基金(0504)深亚微米SOC设计中全芯片ESD仿真工具的研究 江苏省专用集成电路重点实验室开放课题(JSICK0402)高性能DDR2I/O中ESD电路设计与验证 

出 版 物：《微计算机信息》 (Control & Automation)

年 卷 期：2008年第24卷第28期

页      码：296-298页

摘      要：本文对NMOS ESD保护器件建模中的骤回现象和寄生效应进行了研究,并据此提出了一个NMOS ESD保护器件的DC模型。该模型包括基于BSIM3模型的MOS管、反映寄生效应的寄生NPN晶体管、衬底电阻和串联电阻。提出了用于描述模型工作在大电流区域时状态的I-V特性计算公式和对模型所需晶体管参数进行提取的方法。仿真结果表明该模型能够较好地描述NMOS ESD保护器件的工作特性。

主 题 词：ESD 骤回 寄生效应 建模 参数提取 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1008-0570.2008.28.120

馆 藏 号：203209599...