低温烧结SiC基陶瓷制造技术

作     者：苗静 

出 版 物：《西安工业大学学报》 (Journal of Xi’an Technological University)

年 卷 期：2008年第28卷第5期

页      码：416-416页

摘      要：众所周知SiC共价键极强及扩散率很低,其烧结致密很难,必须借助添加剂才能在较低温度(≈1 800℃)烧制高密度SiC陶瓷.西安工业大学采用Sol-Gel法包裹亚微米级SiC颗粒的形式加入各种添加剂,如Y2O3,Al2O3,Ti O2,B,N等的方法,在小于1 750℃时生成高粘度液相来促进其烧结.其关键技术包括:①低温烧结SiC陶瓷的配方设计;②Sol-Gel法加入多种添加剂,包裹在SiC粉末表面,达到分子级的均匀混合的工艺;③等静压成型结合低温无压液相烧结技术制备高强高韧高致密SiC基陶瓷工艺.低温烧结SiC基陶瓷制造技术@苗静

主 题 词：SiC颗粒 SiC陶瓷 低温烧结 制造技术 Al2O3 亚微米级 工业大学 Y2O3 

学科分类：08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16185/j.jxatu.edu.cn.2008.05.002

馆 藏 号：203209637...