氧钝化硅基ZnO/纳米多孔硅柱状阵列异质结近白光LED的性能

作     者：刘春玲 窦宇 陈琛 王春武 姜文龙 Liu Chunling Dou Yu Chen Chen Wang Chunwu Jiang Wenlong

作者机构：吉林师范大学信息技术学院吉林四平136000 

基　　金：吉林省教育厅项目(吉教科合字第491号) 吉林省科技厅项目(20160520019JH) 

出 版 物：《激光与光电子学进展》 (Laser & Optoelectronics Progress)

年 卷 期：2016年第53卷第11期

页      码：274-279页

摘      要：设计并制备了结构为掺锡氧化铟(ITO)/氧化锌(ZnO)/纳米多孔硅柱状阵列(NSPA)/Si/Al的纳米异质结发光二极管(LED),实现了近白光电致发光(EL)。利用蒸气刻蚀技术,在P-Si表面制备NSPA层。对NSPA表面进行氧等离子体钝化处理,通过优化钝化参数改善了硅基NSPA的发光特性。在NSPA表面生长N型ZnO薄膜,得到ZnO/NSPA纳米异质结LED。实验结果表明,氧等离子体钝化处理能够有效地提高该器件的发光强度,并实现近白光发射。

主 题 词：光学器件 发光二极管 半导体材料 等离子体 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/LOP53.112302

馆 藏 号：203209927...