基于SRL结构的抗辐射SRAM单元设计

作     者：武书肖 李磊 任磊 WU Shuxiao LI Lei REN Lei

作者机构：电子科技大学电子科学与技术研究院成都611731 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2016年第46卷第6期

页      码：796-800页

摘      要：在空间辐射环境中,单粒子翻转(SEU)效应严重影响了SRAM的可靠性,对航天设备的正常运行构成极大的威胁。提出了一种基于自恢复逻辑(SRL)结构的新型抗辐射SRAM单元,该单元的存储结构由3个Muller C单元和2个反相器构成,并采用读写线路分开设计。单粒子效应模拟实验结果表明,该单元不仅在静态存储状态下对SEU效应具有免疫能力,在读写过程中对SEU效应同样具有免疫能力。

主 题 词：SRAM 抗辐射 自恢复逻辑 单粒子翻转 Muller C单元 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.2016.06.017

馆 藏 号：203210117...