瞬态电压抑制二极管的概述和展望

作     者：杨尊松 王立新 肖超 陆江 李彬鸿 YANG Zun-song;WANG Li-xin;XIAO Chao;LU Jiang;LI Bin-hong

作者机构：中国科学院大学中国科学院微电子研究所中国科学院硅器件技术重点实验室北京100029 

基　　金：国家自然科学基金(61404169 61404161) 

出 版 物：《电子设计工程》 (Electronic Design Engineering)

年 卷 期：2016年第24卷第24期

页      码：108-112页

摘      要：文中基于推进我国瞬态电压抑制二极管(TVS)自主研发能力的目的,通过调研TVS的发展历程及近年的研究热点,综述了TVS的制备工艺和主要结构。同时,介绍了TVS的工作机制和主要参数,并重点描述了近年来国际上TVS在低压低电容和低漏电流方面所取得的理论和技术突破。最后提出了TVS的低压集成化等发展趋势。

主 题 词：瞬态电压抑制二极管 TVS 研究现状 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.14022/j.cnki.dzsjgc.2016.24.031

馆 藏 号：203210317...