提供低损耗大功率的MOSFET

作     者：Camilo Quintáns Graa Jorge Marcos Acevedo 

作者机构：西班牙维戈市维戈大学 

出 版 物：《电子设计技术 EDN CHINA》 (EDN CHINA)

年 卷 期：2011年第18卷第8期

页      码：57-57页

摘      要：硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量,从而造成电源效率的损失。对于一个有120W电源和24V标称电压的太阳能板,一个防止回流的二极管可能产生6W功率损失,或相当于受控能量的5%。此外,为二极管散热而开发一个冷却系统的成本也可能产生问题。

主 题 词：MOSFET 大功率 低损耗 功率二极管 电源效率 功率损失 太阳能板 标称电压 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203210867...