靶材刻蚀对磁控溅射制备ZnO:Al薄膜性能空间分布的影响

作     者：彭寿 张宽翔 蒋继文 杨勇 姚婷婷 曹欣 李刚 金克武 徐根保 王芸 无

作者机构：浮法玻璃新技术国家重点实验室蚌埠233000 蚌埠玻璃工业设计研究院蚌埠233018 

基　　金：安徽省科技攻关计划项目(1501021046) 

出 版 物：《真空科学与技术学报》 (Chinese Journal of Vacuum Science and Technology)

年 卷 期：2016年第36卷第12期

页      码：1373-1380页

摘      要：采用未经使用和经长时间使用后的新旧掺铝氧化锌(AZO)圆形平面陶瓷靶,直流磁控溅射制备AZO薄膜,基片分别正对靶材水平放置和立在屏蔽罩旁竖直放置,并通过X射线衍射仪、霍尔效应测试系统、光学椭偏仪等设备分析其结构和光电性能,系统地研究靶材刻蚀对磁控溅射制备AZO薄膜性能空间分布的影响。研究表明,氧负离子是造成靶材刻蚀导致薄膜性能空间差异的主要原因,对于水平放置径向分布的AZO薄膜,采用新靶制备时,靶材刻蚀位置处,氧负离子对薄膜损伤作用最大,(002)晶面间距增大,电学性能最差,而在正对靶中心及其他位置处电学性能较佳,随着靶材刻蚀的加深,氧负离子对正对靶中心位置处的薄膜损伤作用最大,结晶性能和电学性能最差;而对于竖直放置纵向分布的AZO薄膜,由于受氧负离子作用弱,采用新旧靶制备的薄膜性能分布规律相似,薄膜电学和结晶性能较水平放置均有所提升,某些位置处电阻率可达(7~8)×10^(-4)Ω·cm,但可见光透过率有所下降。

主 题 词：靶材刻蚀 AZO薄膜 氧负离子 空间分布 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 0817[工学-轻工类] 0806[工学-电气类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.13922/j.cnki.cjovst.2016.12.06

馆 藏 号：203210980...