GaAs样品对太赫兹微带线频谱特性的影响

作     者：张米乐 李依涵 何敬锁(指导) 崔海林 张存林 无

作者机构：太赫兹光电子学教育部重点实验室北京市太赫兹波谱与成像重点实验室首都师范大学物理系北京100048 

基　　金：国家自然科学基金(61675138 61675131) 

出 版 物：《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期：2016年第45卷第12期

页      码：134-139页

摘      要：太赫兹片上系统是近年来太赫兹研究的热点,是太赫兹系统集成的关键技术。太赫兹微带线(MSL)是太赫兹片上系统的关键,微带线设计的合理性,直接影响着太赫兹片上系统的灵敏度和准确度,为了更好地制作片上系统,以理论模型为参照,利用HFSS(High Frequency Structure Simulator)软件对太赫兹传输线及带阻滤波结构进行了系统的仿真研究。首先研究了微带线结构、微带带阻滤波结构的传输特性,并从应用的角度首次将样品引入仿真模型,研究了以Ga As为例的介电样品对微带滤波结构的滤波特性的影响。设计了358 GHz的微带滤波器结构,并通过改变放置在其上的Ga As样品参数,发现样品对微带滤波结构的中心滤波频率有明显影响。为太赫兹微带线的设计制作提供了精确的理论数据。

主 题 词：太赫兹 片上系统 微带线 微带滤波结构 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 070302[070302] 0802[工学-机械学] 0703[理学-化学类] 0825[工学-环境科学与工程类] 0704[理学-天文学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/IRLA201645.1225001

馆 藏 号：203211045...