提高GaN功率器件开关频率的技术途径

作     者：孙素静 赵正平 冯志红 Sun Sujing;Zhao Zhengping;Feng Zhihong

作者机构：河北工业大学电子信息工程学院天津300130 专用集成电路重点实验室石家庄050051 石家庄铁道大学信息科学与技术学院石家庄050043 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2017年第42卷第1期

页      码：1-9页

摘      要：GaN基增强型高速开关器件是提升X波段微系统集成放大器工作效率的核心器件。介绍了凹槽栅结构、F-注入等制作GaN基增强型器件的关键技术,同时分析了场板、介质栅等对器件击穿特性的影响。针对影响GaN基功率器件开关特性的主要因素,重点分析了提高增强型GaN基功率器件开关频率的主要技术途径。减小器件的接触电阻、沟道方块电阻可以降低器件电阻对频率的影响。小栅长器件中栅电容较低,电子的沟道渡越时间较短,也可以提高器件的频率特性。此外,由于GaN基的功率器件频率高,设计应用在GaN器件上的栅驱动电路显得尤为重要。

主 题 词：GaN 开关频率 增强型 栅绝缘层 栅驱动电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.01.001

馆 藏 号：203211080...