基于CH_3NH_3Pbl_3单晶的Ta_2O_5顶栅双极性场效应晶体管（英文）

作     者：吕乾睿 李晶 廉志鹏 赵昊岩 董桂芳 李强 王立铎 严清峰 

作者机构：清华大学化学系北京100084 

基　　金：supported by the National Natural Science Foundation of China(51173097,91333109) National Key Basic Research Program of China(2013CB632900) Tsinghua University Initiative Scientific Research Program,China(20131089202,20161080165) Open Research Fund Program of the State Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Physics,China(KF201516)~~ 

出 版 物：《物理化学学报》 (Acta Physico-Chimica Sinica)

年 卷 期：2017年第33卷第1期

页      码：249-254页

摘      要：具有无机-有机杂化钙钛矿结构的CH_3NH_3Pbl_3通常偏向于显示n型半导体特性,本文以五氧化二钽(Ta_2O_5)作为绝缘层,制备了基于钙钛矿CH_3NH_3Pbl_3单晶的顶栅结构场效应晶体管,暗态下更明显地观察到了CH_3NH_3Pbl_3所具有的p型场效应特性,空穴场效应迁移率达到8.7×10^(-5)cm^2·V^(-1)·s^(-1),此暗态空穴迁移率比原有报道的基于CH_3NH_3Pbl_3多晶薄膜的SiO_2底栅场效应晶体管提高了一个数量级。此外,光照对CH_3NH_3Pbl_3单晶场效应晶体管的性能有强烈影响。与底栅结构CH_3NH_3Pbl_3多晶场效应晶体管不同,即使有栅极和绝缘层的遮挡,5.00 mW·cm^(-2)的光照仍可使CH_3NH_3Pbl_3单晶场效应晶体管的空穴电流提高一个数量级(V_(GS)(栅源电压)=V_(DS)(漏源电压)=20 V),光响应度达到2.5 A·W^(-1)。本文工作实现了对CH_3NH_3Pbl_3场效应晶体管载流子传输的选择性调控,表明在没有外部因素的参与下,通过合适的器件设计,CH_3NH_3Pbl_3同样具有制备成双极性晶体管的潜力。

主 题 词：钙钛矿 五氧化二钽 场效应 迁移率 光照 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3866/PKU.WHXB201610142

馆 藏 号：203211137...