中科院上海硅酸盐所制备出高导电ZnO陶瓷

出 版 物：《电力建设》 (Electric Power Construction)

年 卷 期：2016年第37卷第12期

页      码：I0001-I0001页

摘      要：中科院上海硅酸盐研究所研究员李国荣团队通过晶粒及晶界缺陷设计的方法，成功消除了ZnO晶界处的肖特基势垒，制备出高导电的ZnO陶瓷，其室温下的电导率高达1．9×105Sm-1；同时缺陷设计也降低了材料的品格热导率，使该陶瓷呈现良好的高温热电性能，

主 题 词：ZnO陶瓷 上海硅酸盐所 高导电 中科院 制备 上海硅酸盐研究所 晶界缺陷 肖特基势垒 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203211219...